全球先进存储技术的领导者三星电子今天宣布，已开始批量生产业界首款用于旗舰智能手机的512 GB eUFS(嵌入式通用闪存)3.1。三星的新eUFS 3.1的写入速度是以前的512GB eUFS 3.0移动存储器的三倍，打破了智能手机存储中1GB / s的性能门槛。

“随着我们引入最快的移动存储，智能手机用户将不再需要担心传统存储卡所面临的瓶颈，”三星电子存储器销售与市场营销执行副总裁Cheol Choi表示。“新的eUFS 3.1反映了我们对支持全球智能手机制造商今年迅速增长的需求的持续承诺。”

三星512GB eUFS 3.1的连续写入速度超过1,200MB / s，其速度是基于SATA的PC(540MB / s)的两倍以上，是UHS-I microSD卡(90MB / s)的十倍以上)。这意味着，在没有任何缓冲的情况下，将8K视频或数百张大尺寸照片等海量文件存储在智能手机中时，消费者可以享受超薄笔记本的速度。将内容从旧手机传输到新设备的时间也将大大减少。装有新eUFS 3.1的电话仅需约1.5分钟即可移动100GB数据，而基于UFS 3.0的电话则需要四分钟以上。

就随机性能而言，512GB eUFS 3.1的处理速度比广泛使用的UFS 3.0版本快60%，每秒可提供100,000个输入/输出操作(IOPS)，而写入则可提供70,000 IOPS。

除了512GB选项外，三星还将为旗舰智能手机提供256GB和128GB容量。

三星本月开始在其位于中国西安的新生产线(X2)上开始批量生产第五代V-NAND，以完全满足旗舰和高端智能手机市场的存储需求。该公司很快计划将其在韩国平泽线(P1)的V-NAND批量生产从第五代转移到第六代V-NAND，以更好地满足不断增长的需求。